Tabla de clasificación de fabricantes de chips de memoria
Tres empresas deciden cuánto cuesta la DRAM. Esta tabla muestra su participación, la asignación de HBM, la trayectoria de ingresos, la cobertura de pedidos y el gasto de capital, uno al lado del otro, clasificable por cualquier columna, porque la clasificación cambia completamente dependiendo del número que le interese. La capacidad combinada de HBM con orugas es aproximadamente 422k inicios de oblea por mes.
8 fabricantes · clasificables · cifras reportadas marcadas en la exportación
CSV/Excel · Inicial o Pro| # | Fabricante | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | Semiconductores Samsung Hwaseong, KR · 1b nm, TC-NCF Vuelve a la cima con un 39% de participación en los ingresos de DRAM (niveles vistos por última vez en 2024) después de ceder el liderazgo en 2025. | 39.00% | 26.00% | $80.0B | +168.00% | 70.00% | 5.1Q | $88.0B | $33.6B | 140k |
| 2 | SK hynix Icheon, Corea del Sur · 1b/1c nm, TSV MR-MUF Trimestre récord, participación cada vez menor: +214 % de ingresos interanuales, pero 39 % → 26 % debido a que Samsung y Micron exprimieron ambos extremos. | 26.00% | 52.00% | $57.1B | +214.00% | 76.30% | 6.2Q | $96.5B | $24.1B | 175k |
| 3 | Tecnología de micrones Boise, Estados Unidos · 1β / 1γ nm EUV Un punto detrás de SK hynix: lo más cerca que han estado los dos desde 2014. El margen mostrado es neto GAAP. | 25.00% | 19.00% | $41.5B | +345.80% | 68.10% | 5.8Q | $61.2B | $19.4B | 95k |
| 4 | CXMT Hefei, CN · G4 (clase de 17 nm) Proveedor de DRAM de más rápido crecimiento a nivel mundial; una nueva oferta pública inicial para financiar la capacidad de HBM y LPDDR6. | 5.00% | 0.40% | $6.6B | +716.00% | 9.40% | 2.9Q | $7.1B | $11.0B | 12k |
| 5 | kioxia Tokio, Japón · BiCS 8 / 218L Sólo NAND. La demanda de QLC eSSD de alta capacidad es el punto de apalancamiento de la IA. | — | — | $4.6B | +39.80% | 26.10% | 3.4Q | $14.8B | $6.2B | — |
| 6 | SanDisk Milpitas, Estados Unidos · BiCS 8 / 218L (empresa conjunta) Comparte una producción fabulosa con Kioxia; La exposición al canal de consumo amplifica el movimiento minorista de SSD. | — | — | $2.9B | +44.10% | 21.70% | 3.1Q | $8.9B | $3.1B | — |
| 7 | Tecnología Nanya Nuevo Taipéi, TW · 20nm / 1A nm El segundo productor más rápido con un aumento del suministro de DDR4/LPDDR4/5 en un mercado sin holgura. | 2.00% | — | $2.6B | +690.00% | 31.00% | 3.2Q | $4.4B | $1.9B | — |
| 8 | Winbond Taichung, Taiwán · 25nm / 20nm DRAM de especialidad y nicho; beneficios cuando los niveles 1 abandonan las piezas de baja densidad. | 0.90% | — | $0.3B | +51.20% | 15.30% | 3.8Q | $1.2B | $0.6B | — |
Cómo leer estas columnas
- compartir bits DRAM
- Proporción de bits DRAM de la industria enviados, no ingresos. Los bits son la unidad honesta: el reparto de ingresos favorece a quien vende más HBM.
- acción de HBM
- Proporción de pilas de memoria de gran ancho de banda enviadas. Esta es la única columna que se relaciona directamente con el suministro de aceleradores de IA.
- Reserva
- Cuartos de demanda reservada a las tarifas de envío actuales. Cualquier valor superior a cuatro cuartos significa que el comprador, no el vendedor, está negociando desde la debilidad.
- Valor reservado
- Valor estimado en dólares de los pedidos comprometidos, cada vez más limitados por pagos anticipados de hiperescala.
- Capex año fiscal
- Gasto de capital inicial del año fiscal. Tenga en cuenta el retraso: la entrada de herramientas a los bits de volumen se realiza entre siete y nueve trimestres.
- HBM palabras por minuto
- Comienzos de obleas de HBM por mes, en miles. La limitación más difícil en la cadena de suministro de IA.