Classement des fabricants de puces mémoire
Trois sociétés décident du prix de la DRAM. Ce tableau met côte à côte leur part de bit, leur allocation HBM, la trajectoire des revenus, la couverture des commandes et leurs dépenses en capital – triables par n'importe quelle colonne, car le classement change complètement en fonction du nombre qui vous intéresse. La capacité combinée des HBM à chenilles est d'environ 422k tranche démarre par mois.
8 fabricants · triables · chiffres déclarés signalés à l'export
CSV / Excel · Débutant ou Pro| # | Fabricant | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | Samsung Semi-conducteur Hwaseong, Corée du Sud · 1b nm, TC-NCF De retour au sommet avec une part des revenus DRAM de 39 % – des niveaux observés pour la dernière fois en 2024 – après avoir cédé la tête en 2025. | 39.00% | 26.00% | $80.0B | +168.00% | 70.00% | 5.1Q | $88.0B | $33.6B | 140k |
| 2 | SK hynix Icheon, Corée du Sud · 1b/1c nm, TSV MR-MUF Trimestre record, part en baisse : +214 % de chiffre d'affaires sur un an mais 39 % → 26 % alors que Samsung et Micron ont serré les deux extrémités. | 26.00% | 52.00% | $57.1B | +214.00% | 76.30% | 6.2Q | $96.5B | $24.1B | 175k |
| 3 | Technologie micronique Boise, États-Unis · 1β / 1γ nm EUV Un point derrière SK hynix – le plus proche depuis 2014. La marge indiquée est nette selon les PCGR. | 25.00% | 19.00% | $41.5B | +345.80% | 68.10% | 5.8Q | $61.2B | $19.4B | 95k |
| 4 | CXMT Hefei, CN · G4 (classe 17 nm) Fournisseur de DRAM à la croissance la plus rapide au monde ; une nouvelle introduction en bourse pour financer la capacité HBM et LPDDR6. | 5.00% | 0.40% | $6.6B | +716.00% | 9.40% | 2.9Q | $7.1B | $11.0B | 12k |
| 5 | Kioxia Tokyo, Japon · BiCS8 / 218L NAND uniquement. La demande d’eSSD QLC haute capacité est le point de levier de l’IA. | — | — | $4.6B | +39.80% | 26.10% | 3.4Q | $14.8B | $6.2B | — |
| 6 | SanDisk Milpitas, États-Unis · BiCS 8 / 218L (JV) Partage une production fabuleuse avec Kioxia ; L’exposition du canal grand public amplifie le mouvement des SSD au détail. | — | — | $2.9B | +44.10% | 21.70% | 3.1Q | $8.9B | $3.1B | — |
| 7 | Technologie Nanya Nouveau Taipei, Tennessee · 20nm / 1A nm Deuxième croissance la plus rapide en termes d’approvisionnement en DDR4/LPDDR4/5 sur un marché sans ralentissement. | 2.00% | — | $2.6B | +690.00% | 31.00% | 3.2Q | $4.4B | $1.9B | — |
| 8 | Winbond Taichung, Tennessee · 25nm / 20nm DRAM spécialisée et de niche ; avantages lorsque les niveaux 1 abandonnent les pièces à faible densité. | 0.90% | — | $0.3B | +51.20% | 15.30% | 3.8Q | $1.2B | $0.6B | — |
Comment lire ces colonnes
- Partage de bits DRAM
- Part des bits de DRAM de l’industrie expédiés, et non des revenus. Les bits sont l'unité honnête : le partage des revenus flatte celui qui vend le plus de HBM.
- Action HBM
- Part des piles de mémoire à large bande passante expédiées. Il s’agit de la seule colonne qui correspond directement à l’alimentation de l’accélérateur IA.
- Arriéré
- Trimestres de demande réservée aux tarifs d'expédition actuels. Tout ce qui dépasse les quatre trimestres signifie que l’acheteur, et non le vendeur, négocie par faiblesse.
- Valeur réservée
- Valeur estimée en dollars des commandes engagées, de plus en plus bloquée par des prépaiements hyperscalers.
- Investissements pour l'exercice
- Dépenses d’investissement initiales pour l’exercice. Notez le décalage : l'entrée de l'outil dans les bits de volume s'effectue de sept à neuf quarts.
- mot de passe HBM
- Les plaquettes HBM démarrent chaque mois, en milliers. La contrainte la plus difficile dans la chaîne d’approvisionnement de l’IA.