각자 하는 일
DRAM(DDR5, DDR4, LPDDR, HBM)은 시스템이 실행되는 동안 데이터를 보유하고 전원이 차단되면 손실됩니다. NAND 플래시(TLC, QLC, SSD, eMMC, UFS)는 전원 없이도 데이터를 보관합니다. DRAM은 속도가 빠르고 비트당 비용이 많이 듭니다. NAND는 비트당 속도가 느리고 훨씬 저렴합니다.
공급업체 기반은 중복되지만 다릅니다. 삼성, SK하이닉스, 마이크론이 DRAM을 장악하고 있습니다. NAND에는 Kioxia, SanDisk 및 YMTC가 추가되었습니다. 그 차이는 각 시장이 수요에 얼마나 빨리 반응하느냐에 따라 나타납니다.
현재 GB당 비용
DDR5 16Gb die: $58.540 per die, $29.27/GB (산출값). TLC NAND 512Gb die: $20.410 per die, $0.319/GB (산출값). The statistics table carries 30-day and year-over-year change for every line, including QLC and a finished client SSD.
주기가 달라지는 이유
DRAM은 HBM을 통해 AI와 연결되어 있습니다. HBM으로 변환된 웨이퍼는 DDR5 및 DDR4 원자재 공급량에서 나오므로 AI 수요는 DRAM을 직접적으로 긴축시킵니다. NAND는 주로 교육 데이터 및 추론 캐싱을 위한 엔터프라이즈 SSD를 통해 AI의 이점을 얻습니다. 이는 실제 동인이지만 동일한 방식으로 소비자 공급을 제거하지는 않습니다.
The downside is clearer on NAND. TrendForce's September spot updates show TLC wafer prices easing for three weeks on weak consumer demand, even while enterprise SSD contracts stay firm. Retail SSD prices usually follow wafer spot with a lag of one to two months.
무엇을 볼만한가
DRAM의 경우: DDR5 현물 문의량 및 HBM 웨이퍼 전환 둔화. NAND의 경우: 기업용 SSD 계약 강도가 소비자 부드러움과 공급업체 설비 투자를 상쇄할 수 있는지 여부. 웨이퍼당 레이어 수가 많아지면 신규 팹 없이 비트 출력이 높아지기 때문에 NAND 공급이 DRAM 공급보다 빠르게 회복되는 경향이 있습니다.