DRAM vs NAND：两个内存市场，两个不同的周期

每个人做什么

DRAM（DDR5、DDR4、LPDDR、HBM）在系统运行时保存数据，并在断电时丢失数据。 NAND 闪存（TLC、QLC、SSD、eMMC、UFS）无需电源即可保存数据。 DRAM 速度快，但每比特成本高； NAND 速度较慢且每比特便宜得多。

供应商基地重叠但又有所不同。三星、SK海力士和美光主导DRAM； NAND 新增 Kioxia、SanDisk 和 YMTC。这种差异体现在每个市场对需求的反应速度上。

目前每 GB 成本

DDR5 16Gb die: $58.540 per die, $29.27/GB (计算值). TLC NAND 512Gb die: $20.410 per die, $0.319/GB (计算值). The statistics table carries 30-day and year-over-year change for every line, including QLC and a finished client SSD.

为什么周期出现分歧

DRAM 通过 HBM 与 AI 绑定：转换为 HBM 的晶圆来自商品 DDR5 和 DDR4 供应，因此 AI 需求直接收紧 DRAM。 NAND 主要通过用于训练数据和推理缓存的企业级 SSD 受益于 AI，这是一个真正的驱动因素，但不会以同样的方式消除消费者供应。

The downside is clearer on NAND. TrendForce's September spot updates show TLC wafer prices easing for three weeks on weak consumer demand, even while enterprise SSD contracts stay firm. Retail SSD prices usually follow wafer spot with a lag of one to two months.

看什么

对于 DRAM：DDR5 现货询盘量以及 HBM 晶圆转换的任何放缓。对于 NAND：企业级 SSD 合同强度是否可以抵消消费者疲软以及供应商资本支出。每片晶圆的层数越高，无需新建晶圆厂即可提高比特产量，因此 NAND 供应往往比 DRAM 供应恢复得更快。