Quello che fa ciascuno
La DRAM (DDR5, DDR4, LPDDR, HBM) conserva i dati mentre il sistema è in funzione e li perde quando viene interrotta l'alimentazione. Il flash NAND (TLC, QLC, SSD, eMMC, UFS) conserva i dati senza alimentazione. La DRAM è veloce e costosa per bit; La NAND è più lenta e molto più economica per bit.
Le basi dei fornitori si sovrappongono ma differiscono. Samsung, SK Hynix e Micron dominano la DRAM; NAND aggiunge Kioxia, SanDisk e YMTC. Questa differenza si manifesta nella rapidità con cui ciascun mercato reagisce alla domanda.
Costo per GB in questo momento
DDR5 16Gb die: $58.540 per die, $29.27/GB (derivato). TLC NAND 512Gb die: $20.410 per die, $0.319/GB (derivato). The statistics table carries 30-day and year-over-year change for every line, including QLC and a finished client SSD.
Perché i cicli stanno divergendo
La DRAM è legata all'intelligenza artificiale tramite HBM: i wafer convertiti in HBM provengono dall'offerta di base DDR5 e DDR4, quindi la domanda di intelligenza artificiale restringe direttamente la DRAM. La NAND trae vantaggio dall’intelligenza artificiale principalmente attraverso gli SSD aziendali per l’addestramento dei dati e il caching delle inferenze, che è un vero fattore trainante ma non elimina l’offerta dei consumatori allo stesso modo.
Lo svantaggio è più chiaro sulla NAND. Gli aggiornamenti spot di settembre di TrendForce mostrano che i prezzi dei wafer TLC sono in calo per tre settimane a causa della debole domanda dei consumatori, anche se i contratti SSD aziendali rimangono stabili. I prezzi al dettaglio degli SSD solitamente seguono lo spot dei wafer con un ritardo di uno o due mesi.
Cosa guardare
Per DRAM: volume di richieste spot DDR5 ed eventuali rallentamenti nella conversione dei wafer HBM. Per NAND: se la forza contrattuale degli SSD aziendali può compensare la debolezza dei consumatori e le spese in conto capitale dei fornitori. Un numero maggiore di strati per wafer aumenta l'output di bit senza nuovi fab, quindi la fornitura NAND tende a tornare più velocemente della fornitura DRAM.