Ce que chacun fait
La DRAM (DDR5, DDR4, LPDDR, HBM) conserve les données pendant qu'un système fonctionne et les perd en cas de coupure de courant. Le flash NAND (TLC, QLC, SSD, eMMC, UFS) conserve les données sans alimentation. La DRAM est rapide et coûteuse par bit ; NAND est plus lent et beaucoup moins cher par bit.
Les bases de fournisseurs se chevauchent mais diffèrent. Samsung, SK hynix et Micron dominent la DRAM ; NAND ajoute Kioxia, SanDisk et YMTC. Cette différence se reflète dans la rapidité avec laquelle chaque marché réagit à la demande.
Coût par Go actuellement
DDR5 16Gb die: $58.540 per die, $29.27/GB (calculé). TLC NAND 512Gb die: $20.410 per die, $0.319/GB (calculé). The statistics table carries 30-day and year-over-year change for every line, including QLC and a finished client SSD.
Pourquoi les cycles divergent
La DRAM est liée à l'IA via HBM : les tranches converties en HBM proviennent de l'offre de base de DDR5 et DDR4, donc la demande d'IA resserre directement la DRAM. La NAND bénéficie de l’IA principalement via les SSD d’entreprise pour la mise en cache des données de formation et des inférences, ce qui est un véritable moteur mais ne supprime pas l’offre des consommateurs de la même manière.
L'inconvénient est plus clair sur NAND. Les mises à jour ponctuelles de TrendForce de septembre montrent que les prix des plaquettes TLC diminuent pendant trois semaines en raison de la faible demande des consommateurs, même si les contrats SSD d'entreprise restent fermes. Les prix de détail des SSD suivent généralement ceux des plaquettes avec un décalage d'un à deux mois.
Que regarder
Pour la DRAM : volume de demandes ponctuelles DDR5 et tout ralentissement de la conversion des plaquettes HBM. Pour NAND : la force du contrat SSD d'entreprise peut-elle compenser la faiblesse des consommateurs et les investissements des fournisseurs. Un nombre de couches plus élevé par tranche augmente le débit en bits sans nouvelles usines, de sorte que l'offre NAND a tendance à revenir plus rapidement que l'offre DRAM.